新存儲器技術(shù)時代開啟,應(yīng)材推出新存儲器大量生產(chǎn)技術(shù)
新型存儲器中,包括MRAM、ReRAM與PCRAM等將提供獨特的優(yōu)點。但是,這些存儲器所采用的新材料,為大量生產(chǎn)帶來了相當(dāng)程度的挑戰(zhàn)。
新型存儲器中,包括MRAM、ReRAM與PCRAM等將提供獨特的優(yōu)點。但是,這些存儲器所采用的新材料,為大量生產(chǎn)帶來了相當(dāng)程度的挑戰(zhàn)。
因為日本對韓國管制的原料在半導(dǎo)體制程中極其關(guān)鍵,而且也幾乎沒有取代方案,因此未來幾周的發(fā)展將會是事件發(fā)展的關(guān)鍵。
自2007年起,江波龍就與得一微(前身為硅格半導(dǎo)體)在U盤、存儲卡領(lǐng)域展開合作,并陸續(xù)擴展到嵌入式存儲、SATA接口的SSD固態(tài)存儲等,不斷深入到各個細(xì)分領(lǐng)域。
威剛科技初估,NAND Flash價格將調(diào)漲10%至15%;另一存儲器模組廠十銓科技也認(rèn)為不論DRAM或NAND Flash,下半年都將有很大的成長空間。
宏旺半導(dǎo)體應(yīng)市場所需,推出了LPDDR4X 8GB的RAM解決方案,已實現(xiàn)量產(chǎn),滿足智能手機、平板電腦、超薄筆記本等移動設(shè)備對于越來越高的密度和帶寬要求。