9月19日，2019年第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館舉行。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程，助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。

深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論壇并致辭。深圳第三代半導體研究院副院長張國旗、南方科技大學深港微電子學院執(zhí)行院長于洪宇、國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)半導體業(yè)務負責人文宇、英國劍橋大學工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半導體有限公司總經(jīng)理和巍巍等嘉賓圍繞第三代半導體材料器件的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品應用和機遇挑戰(zhàn)，開展前沿技術(shù)分享及精彩主題演講。

在論壇上，提到中國第三代半導體的發(fā)展，深圳基本半導體總經(jīng)理和巍巍表示，國內(nèi)第三代半導體碳化硅發(fā)展一直緊跟世界前沿，但在汽車設計和制造方面，和國際的先進水平還有一定的差距。目前，國內(nèi)有幾所大學可以制造器件樣品，有部分公司可以量產(chǎn)二極管，但僅有基本半導體可量產(chǎn)碳化硅MOSFET，基本半導體未來將繼續(xù)加大研發(fā)投入，加強技術(shù)創(chuàng)新，致力于鑄造第三代半導體碳化硅的中國“芯”。

據(jù)了解，基本半導體由清華大學、浙江大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院等國內(nèi)外知名高校博士團隊創(chuàng)立，專注于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，旗下碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應用等環(huán)節(jié)?；景雽w已先后推出全電流電壓等級碳化硅二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，以及車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平。

除主旨演講外，現(xiàn)場還舉行了“中國第三代半導體的突破之路”為主題的高端圓桌對話。力合科創(chuàng)集團、北京億華通科技股份有限公司等幾家優(yōu)秀的半導體企業(yè)代表，從企業(yè)自身的發(fā)展經(jīng)歷出發(fā)，共同探討我國第三代半導體實現(xiàn)突破的途徑。

專家認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游的電力電子、通信等行業(yè)新一輪變革的突破口。2018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領(lǐng)域的研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。國內(nèi)受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等因素，第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，市場繼續(xù)被國際巨頭占據(jù)，國產(chǎn)化需求迫切。

本屆高峰論壇由深圳市科學技術(shù)協(xié)會、深圳市坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，深圳青銅劍科技股份有限公司、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合承辦。