鎧俠美國公司宣布已開始樣品出貨 （1） 采用其第 9 代 BiCS FLASH 3D 閃存技術(shù) 的 512Gb 三級(jí)單元 （TLC） 存儲(chǔ)設(shè)備。

鎧俠第 9 代 BiCS FLASH 512Gb TLC 器件樣品出貨

計(jì)劃于2025財(cái)年開始量產(chǎn)。這些器件旨在支持在中低級(jí)存儲(chǔ)容量中需要高性能和能效的應(yīng)用。它們還將集成到公司的企業(yè)級(jí) SSD 中，特別是那些旨在最大限度地提高 AI 系統(tǒng)中 GPU 效率的 SSD。

鎧俠繼續(xù)奉行雙軸戰(zhàn)略，以滿足尖端應(yīng)用的多樣化需求，同時(shí)提供具有競爭力的產(chǎn)品，提供最佳的投資效率。

這 2 個(gè)軸是：

  • 第9代BiCS FLASH產(chǎn)品：這些產(chǎn)品通過利用CBA（CMOS直接鍵合到陣列）技術(shù)（2）將現(xiàn)有存儲(chǔ)單元技術(shù)（3）與最新的CMOS技術(shù)集成在一起，以更低的生產(chǎn)成本實(shí)現(xiàn)高性能。
  • 第 10 代 BiCS FLASH 產(chǎn)品：這些產(chǎn)品擴(kuò)展了內(nèi)存層數(shù)，以滿足未來對(duì)更大容量、高性能解決方案的預(yù)期需求。

新的第 9 代 BiCS FLASH 512Gb TLC 采用基于第 120 代 BiCS FLASH 技術(shù)和先進(jìn) CMOS 技術(shù)的 5 層堆疊工藝開發(fā)，與公司現(xiàn)有具有相同 512Gb 容量的 BiCS FLASH 產(chǎn)品 （4） 相比，性能顯著提高。

這些包括：

  • 寫入性能：提高 61%
  • 讀取性能：提高 12%
  • 電源效率：寫入作時(shí)提高 36%，讀取作時(shí)提高 27%
  • 數(shù)據(jù)傳輸速度：Toggle DDR6.0 接口可實(shí)現(xiàn)高速 3.6Gb/s （5） NAND 接口性能
  • 位密度：通過平面縮放的進(jìn)步提高了 8%

此外，該公司還確認(rèn) 512Gb TLC 在演示條件下以高達(dá) 4.8Gb/s （5） 的 NAND 接口速度運(yùn)行。產(chǎn)品陣容將根據(jù)市場需求確定。

鎧俠致力于加強(qiáng)其全球合作伙伴關(guān)系并追求進(jìn)一步創(chuàng)新，以繼續(xù)提供滿足客戶多樣化需求的最佳解決方案。

（1） 這些樣品用于功能檢查，樣品的規(guī)格在批量生產(chǎn)中可能會(huì)有所不同。
（2） 每個(gè)CMOS晶圓和電池陣列晶圓在其優(yōu)化條件下分別制造，然后鍵合在一起的技術(shù)。
（3） 112層第5代BiCS FLASH和218層第8代BiCS FLASH技術(shù)。新的第 9 代 BiCS FLASH 產(chǎn)品系列將包含其中之一，具體取決于型號(hào)。
（4） 第 6 代 BiCS 閃存，它部署了與該產(chǎn)品相同的 512Gb TLC 產(chǎn)品。
（5） 1Gb/s 按 1,000,000,000bits/秒計(jì)算。該值是在鎧俠的特定測試環(huán)境中獲得的，可能會(huì)因使用條件而異。