全球電子產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷一場由存儲芯片引發(fā)的供應鏈波動。今年以來,三星、SK海力士等國際存儲巨頭逐漸將部分DRAM產(chǎn)能轉向HBM,同時將NAND產(chǎn)能聚焦于高層數(shù)、高性能產(chǎn)品,以滿足AI需求。這一集體轉向給存儲市場留下了供給缺口的同時,也在客觀上讓出了中低端存儲市場的空間。
供需錯配之下,市場上已經(jīng)出現(xiàn)存儲急單。11月17日,中芯國際在投資者關系活動記錄表中表示,公司承接了大量存儲包括NOR/NAND Flash等急單。業(yè)內(nèi)人士預計存儲芯片的短缺周期還將延續(xù)數(shù)年,這一供需窗口期可能為存儲代工業(yè)務帶來新的市場機遇。

市場觀察:NAND賽道的供需新動態(tài)
AI崛起重塑了產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同模式。以臺積電為例,它雖不直接生產(chǎn)存儲顆粒,但其先進的CoWoS封裝技術已成為整合AI芯片的核心平臺。這標志著代工巨頭已在“存儲-邏輯”協(xié)同領域掌握了關鍵話語權。在當下產(chǎn)業(yè)鏈關聯(lián)度日益加深的背景下,臺積電的路徑展示了產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的價值與可能性,這引發(fā)了市場對邏輯代工廠在制造端尋求更深度協(xié)同的關注。

目前3D NAND單顆芯片容量1Tb起步,2D SLC和MLC容量覆蓋從數(shù)百Mb到數(shù)十Gb,數(shù)十Gb-1Tb容量點需要中低層數(shù)3D NAND(<128層)覆蓋。
“在幾十Gb到1Tb之間,主要靠庫存和極少數(shù)產(chǎn)能在支撐,但這一市場的客戶需求巨大,還有AR眼鏡等新型應用需求出現(xiàn)。”至訊創(chuàng)新科技(無錫)有限公司董事長湯強指出。這種市場態(tài)勢也正好為具備成熟制造能力的邏輯代工廠提供了切入機會。
跨界可能:工藝底蘊與制造協(xié)同
從技術角度看,DRAM的制造難度極高。其基本存儲單元由一個晶體管和一個電容組成,電容的制造需要在硅片上“挖坑”并填充高介電材料,工藝復雜度隨制程微縮呈指數(shù)級增長。反觀NAND Flash,其主流的3D NAND技術核心是將存儲單元在垂直方向上進行堆疊,如同蓋摩天大樓。這種結構更依賴于刻蝕、薄膜沉積等工藝的精密控制,而這些工藝正是邏輯芯片代工廠在制造先進制程芯片時已經(jīng)熟練掌握并持續(xù)投入的核心能力。可以說,在攻克3D NAND的堆疊難題上,代工廠所擁有的工藝工程底蘊,這使得邏輯代工廠在探索3D NAND制造時,可能具備一定的工藝基礎。

在這一趨勢下,邏輯代工廠承接NAND急單具有多重戰(zhàn)略意義。首先,這有助于代工廠為客戶提供更完整的芯片解決方案,增強客戶粘性。其次,通過布局存儲芯片,代工廠可以平緩因半導體周期波動帶來的業(yè)績影響。再者,這種跨界嘗試符合產(chǎn)業(yè)鏈對供應鏈韌性日益重視的訴求,能夠幫助客戶降低供應鏈風險。
挑戰(zhàn)與機遇:跨界發(fā)展的現(xiàn)實考量
盡管邏輯代工廠切入NAND領域存在諸多利好因素,但這一轉型之路仍面臨不少挑戰(zhàn):技術層面,雖然NAND的技術門檻相對較低,但代工廠仍需突破特定的技術瓶頸;在產(chǎn)業(yè)生態(tài)方面,代工廠需要重新構建存儲芯片相關的知識產(chǎn)權布局,應對可能存在的專利風險。同時,如何平衡邏輯芯片與存儲芯片的產(chǎn)能分配,確保兩類業(yè)務協(xié)同發(fā)展,也是需要深思熟慮的戰(zhàn)略課題。
然而必須正視的是,NAND與HBM等核心算力資源的定位存在本質(zhì)差異。在AI算力架構中,HBM作為“近存”擔當,與GPU協(xié)同處理海量實時數(shù)據(jù);而NAND的角色更偏向“遠存”,主要負責模型和數(shù)據(jù)的靜態(tài)存儲與加載。這種架構上的距離,決定了NAND在應對AI爆發(fā)式增長的實時算力需求時存在帶寬瓶頸,因而其市場角色或許更多是短期內(nèi)的產(chǎn)能補充與平衡,難以像DRAM一樣深度參與AI海量爆發(fā)的市場算力需求。
存儲漲價風暴正在催生半導體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變革。邏輯代工廠承接NAND急單,或許只是這場變革的開端。有市場觀點認為,未來具備多品類芯片制造能力的‘綜合型代工平臺’或?qū)⒃趹獙ο到y(tǒng)級需求方面展現(xiàn)出更強的適應性。這類平臺不僅能夠為客戶提供更完整的芯片解決方案,還能通過業(yè)務多元化增強抗風險能力。更重要的是,隨著電子系統(tǒng)對算力、存儲、連接協(xié)同效率的要求不斷提高,能夠提供系統(tǒng)級優(yōu)化方案的制造平臺將獲得顯著優(yōu)勢。