近日，全球知識(shí)產(chǎn)權(quán)與科技信息分析的權(quán)威機(jī)構(gòu)科睿唯安（Clarivate）正式揭曉2026年度“全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)（Top 100 Global Innovators 2026）”榜單。作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍者，長(zhǎng)鑫科技憑借在DRAM領(lǐng)域持續(xù)深耕的研發(fā)實(shí)力與雄厚的專利積淀，首次躋身該榜單，同時(shí)也是本次7家中國(guó)大陸上榜企業(yè)中，唯一一家專注于半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的企業(yè)，彰顯了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的創(chuàng)新底氣。

自2012年起，科睿唯安“全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)”榜單便以嚴(yán)苛的多維度評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，成為全球科技行業(yè)創(chuàng)新能力的重要參照。該榜單圍繞技術(shù)影響力、創(chuàng)新投資力度、全球化布局及獨(dú)特性等核心維度，全面考量企業(yè)的綜合創(chuàng)新水平，既關(guān)注專利的數(shù)量規(guī)模、全球布局及引用授權(quán)質(zhì)量，也重視技術(shù)創(chuàng)新對(duì)產(chǎn)業(yè)升級(jí)與社會(huì)發(fā)展的實(shí)際賦能，是全球公認(rèn)的企業(yè)創(chuàng)新實(shí)力“試金石”，上榜企業(yè)均為各自領(lǐng)域引領(lǐng)全球技術(shù)迭代的核心力量。此前，華為、騰訊等國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)已多次登榜，而長(zhǎng)鑫科技的首次入圍，成功填補(bǔ)了中國(guó)大陸半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域在該榜單的空白，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片創(chuàng)新能力獲得國(guó)際主流認(rèn)可。

本次與長(zhǎng)鑫科技攜手上榜的中國(guó)大陸企業(yè)，還涵蓋騰訊、華為、京東方、寧德時(shí)代、中興通訊、TCL科技等，覆蓋信息通信、顯示面板、新能源、人工智能等關(guān)鍵賽道，勾勒出中國(guó)硬科技產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新群像。這一格局不僅印證了中國(guó)科技企業(yè)創(chuàng)新實(shí)力與綜合競(jìng)爭(zhēng)力的穩(wěn)步攀升，更體現(xiàn)了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)中國(guó)核心科技領(lǐng)域發(fā)展?jié)摿Φ母叨日J(rèn)可與充分信心。

專利與性能雙優(yōu) 長(zhǎng)鑫科技筑牢存儲(chǔ)創(chuàng)新硬壁壘

科睿唯安在榜單解讀中明確，長(zhǎng)鑫科技的上榜是因其專注于DRAM存儲(chǔ)技術(shù)的自主研發(fā)與創(chuàng)新，為全球電子產(chǎn)業(yè)鏈提供關(guān)鍵支撐。公開(kāi)資料顯示，長(zhǎng)鑫科技目前是中國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、布局最全的DRAM研發(fā)設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè)，截至2025年6月30日，已累計(jì)斬獲5589項(xiàng)境內(nèi)外專利，專利資產(chǎn)實(shí)現(xiàn)數(shù)量與質(zhì)量的雙重提升，為技術(shù)創(chuàng)新筑牢根基。

持續(xù)的創(chuàng)新投入已成功轉(zhuǎn)化為強(qiáng)勁的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。在長(zhǎng)鑫科技布局之前，國(guó)內(nèi)DRAM核心技術(shù)領(lǐng)域長(zhǎng)期處于空白狀態(tài)。2019年9月，長(zhǎng)鑫科技推出首款自主研發(fā)生產(chǎn)的8Gb DDR4產(chǎn)品，成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)DRAM“從零到一”的歷史性突破；此后，企業(yè)持續(xù)加速產(chǎn)品迭代，推出的多款產(chǎn)品均填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白。當(dāng)前，長(zhǎng)鑫科技最新推出的LPDDR5X及DDR5兩款產(chǎn)品，性能已全面躋身國(guó)際領(lǐng)先行列：其中LPDDR5X系列產(chǎn)品速率突破10667Mbps，較上一代產(chǎn)品提升66%，可充分滿足高端智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)終端對(duì)高速傳輸、低功耗的核心需求；DDR5產(chǎn)品速率高達(dá)8000Mbps，單顆最大容量達(dá)24Gb，廣泛適配個(gè)人電腦、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等多元應(yīng)用場(chǎng)景，彰顯了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的硬核實(shí)力。

沖刺科創(chuàng)板，長(zhǎng)鑫科技賦能國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量進(jìn)階

此次長(zhǎng)鑫科技躋身全球創(chuàng)新百?gòu)?qiáng)，被業(yè)內(nèi)視為國(guó)際市場(chǎng)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè)技術(shù)實(shí)力的重要肯定，也折射出國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片自主化進(jìn)程取得階段性重大突破。目前，長(zhǎng)鑫科技正全力推進(jìn)科創(chuàng)板IPO進(jìn)程，2025年12月30日，其IPO申請(qǐng)已正式獲得上交所受理。根據(jù)招股書(shū)披露，此次擬募集的資金將重點(diǎn)投向DRAM領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)充，進(jìn)一步夯實(shí)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，提升市場(chǎng)供給能力。

研發(fā)投入的持續(xù)加碼，是長(zhǎng)鑫科技保持創(chuàng)新活力的核心支撐。2022年至2025年上半年，長(zhǎng)鑫科技累計(jì)研發(fā)投入超188億元，占同期累計(jì)營(yíng)業(yè)收入的33.11%，其中2025年上半年研發(fā)費(fèi)用率達(dá)23.71%，大幅高于行業(yè)同期平均水平。在競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的全球DRAM賽道，長(zhǎng)期穩(wěn)定的研發(fā)投入是企業(yè)構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)壁壘、形成良性技術(shù)創(chuàng)新循環(huán)、持續(xù)提升核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。作為國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的“鏈主”企業(yè)，長(zhǎng)鑫科技不僅為國(guó)內(nèi)終端產(chǎn)業(yè)提供了穩(wěn)定可靠的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片解決方案，更有效帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的能力升級(jí)。

業(yè)內(nèi)人士分析認(rèn)為，當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局正處于深度重塑階段，疊加人工智能算力需求爆發(fā)的行業(yè)紅利，長(zhǎng)鑫科技入選全球創(chuàng)新百?gòu)?qiáng)，不僅為其IPO進(jìn)程注入強(qiáng)勁動(dòng)力，更成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的標(biāo)桿。隨著長(zhǎng)鑫科技成功上市后持續(xù)加大研發(fā)投入、推進(jìn)產(chǎn)品迭代，其IDM模式有望進(jìn)一步帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)從消費(fèi)大國(guó)向創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群轉(zhuǎn)型，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入中國(guó)力量，書(shū)寫(xiě)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的高質(zhì)量發(fā)展新篇章。