春節(jié)過后，Ａ股資本市場便迎來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重磅捷報，為全年市場走向注入強(qiáng)勁信心。２月２４日，上海證券交易所官網(wǎng)正式披露，國內(nèi)芯片封測龍頭企業(yè)盛合晶微順利通過科創(chuàng)板上市審核委員會審議，成為馬年科創(chuàng)板首家過會企業(yè)，不僅為馬年Ａ股ＩＰＯ市場拉開序幕，更打響了國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)資本化進(jìn)程的新年第一槍。
此次率先過會的盛合晶微，正是國產(chǎn)先進(jìn)封測領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)。作為全球領(lǐng)先的先進(jìn)封測服務(wù)商，該企業(yè)不僅是中國大陸最早實現(xiàn)１２英寸凸塊制造（Ｂｕｍｐｉｎｇ）量產(chǎn)的企業(yè)之一，更憑借全流程自主可控的先進(jìn)封測技術(shù)，成功打破了海外企業(yè)在高端封測領(lǐng)域的隱性壟斷，成為國內(nèi)少數(shù)能與臺積電、日月光等全球封測巨頭實現(xiàn)“無技術(shù)代差”并跑的硬科技企業(yè)。
作為芯片從設(shè)計制造走向?qū)嶋H應(yīng)用的“最后一公里”，封測環(huán)節(jié)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的核心組成部分，直接決定著芯片的最終性能、穩(wěn)定性與可靠性，更是銜接芯片設(shè)計、晶圓制造與下游應(yīng)用的關(guān)鍵樞紐。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈的背景下，先進(jìn)封測技術(shù)已成為衡量一個國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實力的重要標(biāo)志，也是打破海外技術(shù)壟斷、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的關(guān)鍵突破口。
在盛合晶微率先突圍的同時，國產(chǎn)ＤＲＡＭ（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）龍頭長鑫科技的科創(chuàng)板ＩＰＯ進(jìn)程也在穩(wěn)步推進(jìn)，兩大企業(yè)的密集動作，折射出國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從短板補(bǔ)齊到核心突破的加速態(tài)勢，也預(yù)示著馬年Ａ股半導(dǎo)體板塊或?qū)⒊蔀橐I(lǐng)市場的核心力量。
超高壁壘ＤＲＡＭ賽道，中國玩家已成重要一極
長期以來，全球存儲芯片市場尤其是ＤＲＡＭ領(lǐng)域，一直被三星、ＳＫ海力士、美光三大海外巨頭牢牢掌控，形成了近乎絕對的寡頭壟斷格局。這三大企業(yè)占據(jù)了全球ＤＲＡＭ市場９５％以上的份額，憑借技術(shù)封鎖、產(chǎn)能壟斷、供應(yīng)鏈綁定等優(yōu)勢，構(gòu)建起難以逾越的行業(yè)壁壘，使得新進(jìn)入者面臨著前期巨額投入、核心技術(shù)缺失、市場渠道狹窄等多重挑戰(zhàn)，堪稱“千軍萬馬過獨木橋”。而中國作為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)國和消費國，同時也是全球最大的存儲芯片進(jìn)口國，每年需花費巨額資金進(jìn)口存儲芯片，長期處于“卡脖子”困境，存儲產(chǎn)業(yè)鏈安全面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
不過，這一壟斷格局在近年來已悄然發(fā)生改變，國產(chǎn)存儲企業(yè)的崛起正逐步打破海外巨頭的壟斷壁壘，其中最具代表性的便是長鑫科技。成立于２０１６年的長鑫科技，如今已成長為中國大陸規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)，且唯一實現(xiàn)通用型ＤＲＡＭ大規(guī)模量產(chǎn)的ＩＤＭ（研發(fā)設(shè)計制造一體化）企業(yè)。憑借持續(xù)的技術(shù)研發(fā)投入與堅定的自主創(chuàng)新之路，長鑫科技成功打破了三大海外巨頭對全球ＤＲＡＭ市場的長期壟斷，填補(bǔ)了國產(chǎn)通用型ＤＲＡＭ的市場空白，成為過去２０年來全球ＤＲＡＭ市場中唯一成功突破三巨頭壟斷防線的“中國玩家”，標(biāo)志著中國在存儲芯片這一核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性突破。
與國內(nèi)多數(shù)存儲企業(yè)采用的“設(shè)計＋代工”模式不同，長鑫科技采用的ＩＤＭ模式，實現(xiàn)了從芯片研發(fā)、晶圓制造到封裝測試的全流程自主可控。這種模式不僅有效降低了產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同成本，避免了核心制造環(huán)節(jié)受制于人的風(fēng)險，更能夠讓企業(yè)快速響應(yīng)市場需求變化，及時優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計與生產(chǎn)工藝，持續(xù)提升產(chǎn)品競爭力。
目前，長鑫科技已在合肥、北京布局了３座１２英寸ＤＲＡＭ晶圓廠，形成了穩(wěn)固的規(guī)?；a(chǎn)能基礎(chǔ)，２０２５年上半年其產(chǎn)能利用率高達(dá)９４．６３％，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的生產(chǎn)活力與市場需求。其核心ＤＲＡＭ產(chǎn)品性能已躋身國際領(lǐng)先水平，能夠廣泛應(yīng)用于消費電子、服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等多個領(lǐng)域，為國內(nèi)下游電子企業(yè)提供了穩(wěn)定的本土化供應(yīng)選擇，有效降低了行業(yè)供應(yīng)鏈風(fēng)險。
存儲超級周期下，市場格局或?qū)⒂?/strong>
值得關(guān)注的是，當(dāng)前全球存儲市場正迎來新一輪超級周期，為國產(chǎn)存儲企業(yè)的崛起提供了絕佳的市場機(jī)遇。在人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等新興技術(shù)的強(qiáng)力驅(qū)動下，全球存儲芯片需求持續(xù)爆發(fā)，尤其是ＡＩ服務(wù)器對ＤＲＡＭ的需求更是達(dá)到普通服務(wù)器的８－１０倍，直接推動全球存儲市場自２０２５年第三季度起正式步入上行通道，存儲芯片價格開啟全面上漲模式。業(yè)內(nèi)人士普遍預(yù)測，這種漲價趨勢將持續(xù)貫穿２０２６年全年，為存儲企業(yè)帶來豐厚的業(yè)績回報。
據(jù)高盛與Ｙｏｌｅ等權(quán)威機(jī)構(gòu)發(fā)布的報告預(yù)測，２０２６年全球按容量（ｂｉｔ）計算的ＤＲＡＭ內(nèi)存需求將同比增長２３％，其中數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的需求增幅更是高達(dá)２８％。與此同時，全球ＤＲＡＭ市場的供需缺口將擴(kuò)大至４．９％，創(chuàng)下１５年來的最嚴(yán)重短缺水平，這一供需失衡格局進(jìn)一步鞏固了存儲行業(yè)超級周期的不可逆性。
在這一產(chǎn)業(yè)高景氣背景下，中國存儲產(chǎn)業(yè)正加速突圍，除長鑫科技外，長江存儲、兆易創(chuàng)新等企業(yè)也在ＮＡＮＤ、ＤＲＡＭ等領(lǐng)域持續(xù)實現(xiàn)技術(shù)與產(chǎn)能突破，國內(nèi)存儲模組廠商同步發(fā)力，形成了全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展的良好態(tài)勢。
產(chǎn)業(yè)景氣度的提升，直接反映在國內(nèi)存儲企業(yè)的業(yè)績表現(xiàn)上。近年來，佰維存儲、瀾起科技、江波龍等國內(nèi)存儲相關(guān)企業(yè)紛紛實現(xiàn)凈利潤增長或業(yè)績反轉(zhuǎn)，成長勢頭十分強(qiáng)勁。而從長鑫科技披露的招股書來看，其業(yè)績增長更是呈現(xiàn)出爆發(fā)式態(tài)勢：營收從２０２２年的８２．８７億元快速增長至２０２５年前三季度的３２０．８４億元，短短三年時間營收規(guī)模增長近３倍；預(yù)計２０２５年全年凈利潤將實現(xiàn)２０億元至３５億元的正向增長，扣非歸母凈利潤預(yù)計在２８億元至３０億元之間，成功實現(xiàn)了根本性的盈利反轉(zhuǎn)。招股書進(jìn)一步顯示，若２０２６年全球ＤＲＡＭ市場均價能維持在２０２５年９月的水平，伴隨企業(yè)產(chǎn)能的穩(wěn)步提升，長鑫科技有望實現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)健盈利，正式進(jìn)入業(yè)績兌現(xiàn)的全新發(fā)展階段。
馬年伊始，盛合晶微科創(chuàng)板過會與長鑫科技ＩＰＯ加速推進(jìn)，并非孤立的企業(yè)行為，而是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)升級、核心環(huán)節(jié)不斷突破的生動縮影。從先進(jìn)封測領(lǐng)域打破海外隱性壟斷，到ＤＲＡＭ領(lǐng)域突破寡頭格局，國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)正逐步擺脫“低端跟隨”的發(fā)展模式，在全球產(chǎn)業(yè)競爭中占據(jù)越來越重要的地位。隨著更多半導(dǎo)體企業(yè)借助資本市場的力量實現(xiàn)規(guī)?；l(fā)展，國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完整性與競爭力將持續(xù)提升，有望逐步改寫全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。
