日本存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商鎧俠株式會(huì)社目前正在開(kāi)始建設(shè)2個(gè)新的研發(fā)中心，分別是橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin-Koyasu技術(shù)前沿大樓，此舉為了加強(qiáng)公司在閃存和SSD方面的研發(fā)能力。

展望未來(lái)，當(dāng)前在神奈川縣的其他研發(fā)職能將搬遷到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率并促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新的進(jìn)一步發(fā)展。

隨著新旗艦大樓的加入，橫濱技術(shù)園區(qū)的規(guī)模將擴(kuò)大近一倍，使鎧俠能夠擴(kuò)展其在評(píng)估閃存和SSD產(chǎn)品方面的能力，從而提高整體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。旗艦大樓配備環(huán)保設(shè)施，還獲得了ZEB-Ready認(rèn)證1，該認(rèn)證授予通過(guò)提高能源效率將能耗降低50%或更多的建筑物。

新光安技術(shù)前沿將作為一系列半導(dǎo)體領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究中心，包括新材料、工藝和設(shè)備。它擁有一個(gè)采用環(huán)保設(shè)計(jì)的潔凈室。

首席技術(shù)官M(fèi)asaki Momodomi表示：“我們很高興鎧俠的新研發(fā)設(shè)施現(xiàn)已投入運(yùn)營(yíng)。自發(fā)明NAND閃存以來(lái)，鎧俠一直引領(lǐng)內(nèi)存產(chǎn)品的創(chuàng)新超過(guò)35年。有了這兩個(gè)新設(shè)施，我們將進(jìn)一步加快和深化我們的研發(fā)活動(dòng)，提供支持未來(lái)數(shù)字社會(huì)的產(chǎn)品、服務(wù)和技術(shù)。

除了下一代內(nèi)存技術(shù)外，鎧俠還從事各個(gè)領(lǐng)域的研發(fā)，包括面向以數(shù)據(jù)為中心的計(jì)算系統(tǒng)的系統(tǒng)技術(shù)以及人工智能等數(shù)字化轉(zhuǎn)型。它與日本和國(guó)外的大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)和公司一起促進(jìn)開(kāi)放式創(chuàng)新。

在“用'內(nèi)存'提升世界”的使命下，它致力于制定舉措，以加強(qiáng)其閃存和SSD業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。

橫濱技術(shù)園區(qū)旗艦館

位置：神奈川縣橫濱市榮區(qū)笠間2丁目

高度：6層

總建筑面積：約40，000米2

新興安技術(shù)前沿大樓

位置：神奈川縣橫濱市神奈川區(qū)森谷町三丁目

高度：4層

總建筑面積：約13，000米2

注：1 ZEB 代表 凈零能耗建筑。“ZEB-Ready”是日本建筑能效標(biāo)簽系統(tǒng)指定的等級(jí)之一，用于認(rèn)證提供舒適室內(nèi)環(huán)境同時(shí)將標(biāo)準(zhǔn)一次能源消耗降低 50% 或更多的建筑物，不包括可再生能源。