三星半導(dǎo)體二期項(xiàng)目在西安投資將超140億美元 預(yù)計(jì)明年Q1量產(chǎn)
三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目于2012年成功入駐西安高新區(qū),主要生產(chǎn) V-NAND 閃存芯片,一期項(xiàng)目計(jì)劃投資金額為70億美元.
三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目于2012年成功入駐西安高新區(qū),主要生產(chǎn) V-NAND 閃存芯片,一期項(xiàng)目計(jì)劃投資金額為70億美元.
屏下指紋識(shí)別橫評(píng),從內(nèi)至外全方位客觀測(cè)試并點(diǎn)評(píng)時(shí)下熱門帶屏下指紋識(shí)別技術(shù)的機(jī)型,看看效果是否真如宣傳那樣牛逼。
三星、臺(tái)積電也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工藝了,其中在3nm節(jié)點(diǎn)上臺(tái)積電也投資了200億美元建廠,只不過他們并沒有詳細(xì)介紹過3nm工藝路線圖及技術(shù)水平。
三星3 納米制程產(chǎn)品將比當(dāng)前的 7 納米制程產(chǎn)品效能提升 35%,能耗也再降低 50%,而且芯片的面積也再減少 45%。
三星FOPLP封裝技術(shù)將與臺(tái)積電研發(fā)的InFO-WLP(扇出型晶圓級(jí)封裝)技術(shù)于未來Apple手機(jī)處理器訂單中,一較高下。