臺(tái)積電
臺(tái)積電“追加1000億美元投資”，被美政府以“違反DEI條款”威逼
臺(tái)積電之所以在原有650億美元基礎(chǔ)上追加1000億美元投資、將對美總投資提升至1650億美元，若追加1000億美元投資，所有DEI義務(wù)“一筆勾銷”。
臺(tái)積電重申：目前公司產(chǎn)品并不需要高數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)
臺(tái)積電的下一代工藝技術(shù)，包括A16（1.6納米級(jí)）和A14（1.4納米級(jí)）工藝技術(shù)，不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)。
臺(tái)積電美國工廠虧損超32億，仍加速三廠建設(shè)，力推更先進(jìn)制程技術(shù)
臺(tái)積電在亞利桑那州的第一座晶圓廠已經(jīng)在去年第四季度開始采用4nm制程技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。
美方據(jù)報(bào)要求臺(tái)積電對7納米AI芯片實(shí)施出口限制，商務(wù)部回應(yīng)
美方不斷濫用出口管制措施、實(shí)施長臂管轄，持續(xù)加嚴(yán)對華半導(dǎo)體打壓遏制，割裂全球半導(dǎo)體市場，這是對國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重破壞，對自由貿(mào)易的粗暴干涉，是典型的非市場做法。