市場回暖,閃存工藝之爭再升級 128層3D NAND明年漸成主流
三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭推進(jìn)到了新的層級。
3DNAND
美光拿出第一批第4代3D NAND芯片樣品，基于RG架構(gòu)
美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存，但美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲芯片將僅用于特定應(yīng)用，因
擴(kuò)展高效能運算應(yīng)用 英特爾新推Optane及3D NAND解決方案
處理器龍頭英特爾(intel)于25日在韓國首爾舉行的全球意見領(lǐng)袖聚會上，介紹了一系列最新科技里程碑，并強(qiáng)調(diào)英特爾在以資料為中心的運算時代中，將持續(xù)推動存儲器和儲存發(fā)展的投資
中國首次量產(chǎn) 64層3D NAND閃存芯片影響幾何?
近日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D
長江存儲64層3D NAND閃存量產(chǎn)；晶圓代工廠最新營收排名
2019年9月2日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱 長江存儲 ）宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking 架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場