低容量NAND Flash供給緊縮疊加品牌推動AI革新,預估2026年智能手機平均存儲容量年增4.8%
由于原廠制程升級迫使低容量規(guī)格淘汰,以及高端品牌旗艦機AI需求等因素驅(qū)動,預估全年手機平均存儲容量將逆勢年增4.8%。
由于原廠制程升級迫使低容量規(guī)格淘汰,以及高端品牌旗艦機AI需求等因素驅(qū)動,預估全年手機平均存儲容量將逆勢年增4.8%。
本周DRAM市場買方觀望態(tài)度明顯,不過周三后,仍是延續(xù)著華為禁令所造成的影響,市場出現(xiàn)大量需求詢單,購貨力道強勁,買盤價格也隨之上調(diào),整體交易情況熱絡。
根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲日消息,但在NAND Flash領域,因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長收
據(jù)分析機構(gòu)最新數(shù)據(jù),因數(shù)據(jù)中心對市場的帶動作用,2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%,市場逐漸供不應求。
存儲器模組廠宇瞻總經(jīng)理張家騉昨(4)日指出,新冠肺炎疫情雖造成存儲器整體市場需求端有所修正,但供應原廠均無意降價。